Научно-образовательный центр фотовольтаики и нанотехнологии (НОЦ ФН)
Контактная информация:
Адрес: 355029, г. Ставрополь, просп. Кулакова, 2 (Корпус 10), ауд. 201-204
Телефон: (8652) 95-68-25
Директор: Сысоев Игорь Александрович, доктор технических наук, доцент
Сотрудники:
- Демин Юрий Ильич – старший научный сотрудник, кандидат технических наук, доцент;
- Девицкий Олег Васильевич – инженер, кандидат технических наук;
- Касьянов Иван Владимирович – ведущий инженер.
В 2002 г. создана межкафедральная научно-исследовательская лаборатория «Микроэлектроники и нанотехнологии» (МНИЛ МЭН). Именно с этого момента можно считать, что в СевКавГТУ были начаты работы в области нанотехнологии.
В 2004 году создается ЦКП «Электроника микроэлектроника и нанотехнологии».
В 2007 году в университете начинает строительство Научно-лабораторного корпуса по адресу г. Ставрополь, пр. Кулакова, 2. Сдан в эксплуатацию в 2012 г. В этом корпусе построены чистые зоны класса 100. общей площадью 250 м2.
В 2008 году создается Северо-Кавказский научно-производственный центр «Нанотехнологии и наноматериалы».
В 2009 году ФГУ «Ростовский центр стандартизации, метрологии и сертификации» провел процедуру оценки состояния измерений в лабораториях СевКав НПЦ «НиНа», по результатам которой выдано Свидетельство №Р 030 от 21 декабря 2009 г. В этом же году ГК «Российская корпорация нанотехнологий» провела процедуру аттестации признания компетентности испытательной лаборатории (центра) в соответствии с которой было установлено, что Северо-Кавказский НПЦ «Нанотехнологии и наноматериалы», соответствует требованиям Системы добровольной сертификации продукции наноиндустрии «Наносертифика», предъявляемым к испытательным лабораториям (центрам) и признан технически компетентным. (Аттестат признания компетентности испытательной лаборатории (центра) Рег. «РОСС RU.В503.04НЖ00.26.04.0032, выдан 17.12.2009 г.
На основании решения Ученого совета, приказом ректора №22/о от 05.09.2009 г. с целью согласованного развития ЦКП «Электроника микроэлектроника и нанотехнологии», Северо-Кавказского НОЦ «Нанотехнологии и наноматериалы» и Северо-Кавказского НПЦ «Нанотехнологии и наноматериалы» создается Объединенный центр нанотехнологий (ОЦН). Первым директором ОНЦ становится д.ф-.м.н., профессор Бавижев М.Д. К этому моменту в университете успешно развивалось пять научных направлений:
- разработка наноразмерных и субмикронных люминесцентных материалов;
- разработка нового поколения сенсоров на основе наночастиц металлов;
- синтез и исследование свойств алмазоподобных материалов;
- технологии высокотемпературных монокристаллов;
- технологии материалов для солнечной энергетики.
Все эти научные направления развивались в рамках научной школы д.х.н., профессора Синельникова Б.М.
10.01.2012 г. ОЦН был переименован в Северо-Кавказский центр нанотехнологий и наноматериалов (СКЦ НиНа).
18.04.2012 г. СКЦ НиНа переименован в Научно-исследовательский институт нанотехнологий и наноматериалов (НИИ НиНа).
23.09.2012 г. на базе НИИ НиНа создан научно-образовательный центр фотовольтаики и нанотехнологий.
Цели деятельности центра:
- Фундаментальные и прикладные научные исследования в области фотовольтаики, нанотехнологии, нано- и микроэлектроники;
- Образовательные услуги в области фотовольтаики, нанотехнологии, нано- и микроэлектроники,
- Организация малых инновационных предприятий на основе полученных результатов научно-исследовательской деятельности;
- Тематика научных исследований
- Получение и исследование наноразмерных пленочных материалов и массива полупроводниковых квантовых точек;
- Получение и исследование проводящих, антиотражающих пленочных покрытий на основе наночастиц металлов;
- Получение и исследование гетероструктур A3B5/Si для приборов силовой электроники и солнечной энергетики;
- Исследование процесса ионной обработки и полировки поверхности материалов;
- Конструирование и изготовление гибридных высокоэффективных солнечных батарей.
- Разработка стабилизированных блоков питания для обеспечения работы радиоаппаратуры.
Работы и услуги, которые могут быть предложены заказчикам:
- Нанесение металлических пленок (никель, медь, железо, вольфрам, тантал и др.) на поверхность различных материалов (стекло, металл, полупроводники и др.) толщиной от 10 нм до 1-2 мкм;
- Синтез диэлектрических пленок (SiO2, Al2O3, Si3N4, AlN и др.) с помощью ионной технологии толщиной от 10 нм до 1-2 мкм;
- Получение полупроводниковых гетероструктур (GaAs/Si, AlGaAs/Si, AlGaAs/GaAs, GaP/Si, Ge/Si и др.) лазерной абляцией и молекулярно-лучевой эпитаксией толщиной от 10-20 нм до 2-3 мкм;
- Ионная обработка поверхности материалов (Si, GaAs, GaP и др.) и ионная полировка (SiO2, Al2O3 и др.) с возможностью получения шероховатости 1-2 нм, в том числе и для оптических деталей.
Стоимость работы составляет ориентировочно 1200-1700 руб./час или 3200-4300 руб./процесс.
Реализованные проекты:
- «Получение и обработка функциональных наноматериалов» Соглашение № 14.A18.21.1085 между Министерством образования и науки Российской Федерации и федеральным государственным автономным образовательным учреждением высшего профессионального образования «Северо-Кавказский федеральный университет» о предоставлении гранта в форме субсидии. 2013 г.
- «Проведение исследований и создание перспективных солнечных элементов с квантовыми точками для пико и наноспутников АВИС». ЗАО «Технологии ГЕОСКАН», г. Москва.
- «Исследование физико-технических характеристик наноструктурированного мелкозернистого твердого сплава на основе карбида вольфрама». ООО «АлмазЭнергоБур», г. Москва, Троицк.
- «Разработка методов получения перспективных материалов и структур на их основе для изделий оптоэлектроники». Минобрнауки (базовая часть госзадания). 2015-2016.
- «Разработка стабилизированных блоков и модулей питания для обеспечения работы радиоаппаратуры». АО «Электроавтоматика». 2017.
- «Исследование возможности получения диодов на основе гетероструктуры GaAs/Si». АО «Оптрон-Ставрополь», 2017.