Мартенс Владимир Яковлевич

Мартенс В.Я., 1950 года рождения, в 1972 году окончил Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники (ТИАСУР) по специальности «Инженер электронной техники». После службы в армии (1972-1974 гг.) работал ассистентом, аспирантом, старшим преподавателем, доцентом кафедры физики ТИАСУРа. В Северо-Кавказском федеральном университете (СКФУ) (до 2012 года в Северо-Кавказском государственном техническом университете), работает с 1994 года сначала в должности доцента, а после защиты диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук (2002 г.) – профессором кафедры электроники и нанотехнологий. Тема докторской диссертация – «Объемная стационарная плазма малой плотности и ее использование для получения электронных и ионных пучков большого сечения» по специальности 05.27.02 – Вакуумная и плазменная электроника. Сфера научных интересов связана с разработкой, исследованием и применением плазменных источников заряженных частиц, предназначенных для использования в микро- и нанотехнологиях. В 1988 году Мартенс В.Я. был отмечен знаком «Изобретатель СССР». В 1995 году избран действительным членом Нью-Йоркской академии наук, в 1997 году получил грант и звание «Соросовский доцент», а в 1999 году избран членом Научного совета Американского биографического института. В 2009 году участвовал в работе IX Московского международного салона инноваций и инвестиций с разработкой «Плазменный эмиттер заряженных частиц», которая была награждена бронзовой медалью. В 2009-2011 годах Мартенс В.Я. являлся научным руководителем госбюджетной темы № 1.3.09 «Исследование физических процессов в анодной области газового разряда низкого давления». В 2012 году под его руководством защищена кандидатская диссертация. В 2012-2014 годах совместно со студентами представлены три доклада на международные конференции. В 2014 году присвоено почетное звание «Почетный работник высшего профессионального образования Российской Федерации». С 01.11.2019 по 31.08.2020 года исполнял обязанности заведующего кафедрой электроники и нанотехнологий.

Общий стаж работы – 48 лет,  научно-педагогический стаж работы – 46 лет.

• физика
• вакуумная и плазменная электроника и элионные технологии
• методология научных исследований
• физика газоразрядной плазмы
• управление проектами в профессиональной сфере

1. В.А. Тарала, А.С. Алтахов, М.Ю.Шевченко, Д.П. Валюхов, С.В. Лисицын, В.Я. Мартенс. Выращивание пленок нитрида алюминия методом плазмоактивированного осаждения с раздельной подачей реагентов // Неорганические материалы. 2015, т. 51, № 7, с. 795–802.
2. В.Я. Мартенс, И.В. Никитин. Режим свободного полета частиц в анодной области газового разряда низкого давления // Сб. «Плазменная эмиссионная электроника». Труды V Международного Крейнделевского семинара. Улан-Удэ, изд-во БНЦ СО РАН, 2015, с. 68-72.
3. V.A. Tarala, A.S. Altakhov, V.Ya. Martens, S.V. Lisitsyn. Growing aluminum nitride films by plasma-enhanced atomic layer deposition at low temperatures // Journal of Physics: Conference Series. 2015, vol. 652, № 012034.
4. М.Г. Амбарцумов, А.С. Алтахов, В.А. Тарала, В.Я. Мартенс, С.В. Лисицын. Синтез тонких пленок нитрида алюминия методом PEALD при различных длительностях плазменной экспозиции // Вестник Северо-Кавказского федерального университета, 2016, № 2 (53), с.7-12.
5. V.A. Tarala, A.S. Altakhov, M.G.Ambartsumov, V.Ya. Martens. Growing oriented AlN films on sapphire substrates by plasma-enhanced atomic layer deposition. Technical Physics Letters, 2017, Vol. 43, No. 1, pp. 74–77.
6. V. Tarala, A. Altakhov M. Ambartsumov, V. Martens, M. Shevchenko. Growth of heteroepitaxial aluminium nitride films on aluminium oxide substrates via PEALD method. 2016 14th International Baltic Conference on Atomic Layer Deposition, BALD 2016 – Proceedings. 24 March 2017, Article number 7886528, p. 29-30.
7. В.Я. Мартенс, С.О. Крандиевский, И.В. Никитин. Синтез пленок карбида кремния путем химического осаждения из газовой фазы в реакторе с холодными стенками. Вестник Северо-Кавказского федерального университета, 2017, №3 (60), С. 24-27.
8. В.Я. Мартенс. Возмущение плазмы отражательного разряда с полым катодом при извлечении из нее электронов. // Сб. «Плазменная эмиссионная электроника». Труды VI Международного Крейнделевского семинара. Улан-Удэ, изд-во БНЦ СО РАН, 2018, с. 45-49.
9. V.Ya. Martens. Perturbation of Reflective Discharge Plasma with a Hollow Cathode upon the Emission of Plasma Electrons. // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics, 2019, Vol. 83, No. 11, pp. 1382–1386.
10. V.Ya. Martens. Plasma Anisotropy upon Emission of Charged Particles. // Technical Physics, 2020, Vol. 65, No. 3, pp. 362–368.

В 1988 году Мартенс В.Я. был отмечен знаком «Изобретатель СССР». В 1995 году избран действительным членом Нью-Йоркской академии наук, в 1997 году получил грант и звание «Соросовский доцент», а в 1999 году избран членом Научного совета Американского биографического института. В 2009 году участвовал в работе IX Московского международного салона инноваций и инвестиций с разработкой «Плазменный эмиттер заряженных частиц», которая была награждена бронзовой медалью. В 2009-2011 годах Мартенс В.Я. являлся научным руководителем госбюджетной темы № 1.3.09 «Исследование физических процессов в анодной области газового разряда низкого давления». В 2012 году под его руководством защищена кандидатская диссертация. В 2012-2021 годах совместно со студентами представлены семь докладов на международные и всероссийские конференции. В 2014 году присвоено почетное звание «Почетный работник высшего профессионального образования Российской Федерации». Список научных и учебно-методических работ включает 119 наименований, в том числе 11 авторских свидетельств и патентов на изобретения.